GB/T 33657-2017 纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
简介
GB/T 33657-2017
纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
2017-12-01 实施
2017-05-12发布
前言
本标准按照GB/T 1.1 2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任，
本标准由中国科学院提出。
本标准由全国纳米技术标准化技术委员会（SAC/TC279）归口。
GB/T 33657-2017
纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
2017-12-01 实施
2017-05-12发布
前言
本标准按照GB/T 1.1 2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任，
本标准由中国科学院提出。
本标准由全国纳米技术标准化技术委员会（SAC/TC279）归口。
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