GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片

简介
GB/T 29055-2019 代替 GB/T 29055—2012
太阳能电池用多晶硅片
Multicrystalline silicon wafers for photovoltaic solar cell
2019-06-04 发布
2020-05-01 实施
本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 29055-2012（太阳电池用多晶硅片》。本标准与GB/T 29055-2012相比，除编辑性修改外主要技术变化如下：
—修改了适用范围，将“适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片''改为
适用于太阳能电池用铸造多晶硅片（包括类单晶硅片）”（见第1章,2012年版的第1章）。
—副除了规范性引用文件 GB/T 1551 和 SEMI MF 1535,增加了 GB/T 30860.GB/T 30869、SJ/T 11627、SJ/T 11628、SJ/T 1163O、SJ/T 11631,SJ/T 11632 和 YS/T 28（见第 2 章，2012年版的第2章）。
—删除了密集线痕的定义，增加了线痕和微裂纹的定义（见3.1和3.2,2012年版的3.1）。
—修改了边长分类♦由 125 mmX125 mm 和 156 mmX 156 mm 改为 156.75 mmX 156.75 mm,建议边长的増减量为1 mm的整数倍（见表1,2012年版的表1）。
—将外形尺寸分类与要求合并，并修改了边长、厚度及允许偏差的要求（见4.1,2012年版的第4章、第5章）。
—修改了总厚度变化、弯曲度的要求（见4.1,2012年版的5.2）.
—修改了载流子寿命、间隙氧含量、代位碳含量的要求（见4.2.3,4.3,2012年版的5.3.3,5.3.4,5.3.5）。
—增加了表面质匿中缺口、微裂纹的要求（见
—修改了表面质量中崩边缺陷的要求（见4.4.2,2012年版的5.1.2）。
—删除了表面质量中的色斑、边缘缺陷、晶粒数量及尺寸规格中密集型线痕的要求（见2012年版的5.1.1、5.1.3、5丄4、5.2）。
—增加了类单晶硅片的要求（见第4章）。
—修改了组批、检验项目、取样及检验结果的判定（见6.2、6.3、6.4,2012年版的7.2、7.3、7.4）。
—修改了包装的要求（见7.2.1,2012年版的8.1.1）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC 203/SC 2）共同提出并归口。

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