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SJ/T 11199-2016 压电石英晶体片
简介
SJ/T 11199-2016代替 SJ/T 11199—1999
压电石英晶体片
Piezoelectric quartz crystal blank
2016-01- 15 发布
2016- 06- 01 实施
——在灯光下目检改为"灯光下目检或规定倍数放大镜或显微镜检查";增加有争议时的测量方法;增加"石英晶体片腐蚀后或抛光后在灯光下目检双晶和籽晶。"(见5.1,1999 年版的 5.1);
——厚度测量的工具由千分尺改为数字千分尺;平行度的测量方法与厚度测量分别规定;增加方片倒角的测量方法,增加圆片倒缺口轴向的测量方法(见 5.2,1999年版的 5.2);
——X 射线定向仪的精度由 0.5'改为适用的精度(见5.3,1999 年版的5.3);
——测量频率允差的仪器只提出测量原理和电极形式(见 5.4,1999 年版的 5.4);
——删去内部缺陷(1999 年版的 5.5);
——检验批"由同一时间提交的用同一批原料加工的石英晶体片构成"改为"同一时间提交的同
——规格的石英晶体片构成"(见 6.1,1999 年版的 6.1);
——抽样方案改为由详细规范规定(见 6.2,1999 年版的 6.2);
——小包装的标志和合格证项目少量调整(见 7.1,1999 年版的 7.1)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会(SAC/TC182)归口。
SJ/T 11199-2016代替 SJ/T 11199—1999
压电石英晶体片
Piezoelectric quartz crystal blank
2016-01- 15 发布
2016- 06- 01 实施
——在灯光下目检改为"灯光下目检或规定倍数放大镜或显微镜检查";增加有争议时的测量方法;增加"石英晶体片腐蚀后或抛光后在灯光下目检双晶和籽晶。"(见5.1,1999 年版的 5.1);
——厚度测量的工具由千分尺改为数字千分尺;平行度的测量方法与厚度测量分别规定;增加方片倒角的测量方法,增加圆片倒缺口轴向的测量方法(见 5.2,1999年版的 5.2);
——X 射线定向仪的精度由 0.5'改为适用的精度(见5.3,1999 年版的5.3);
——测量频率允差的仪器只提出测量原理和电极形式(见 5.4,1999 年版的 5.4);
——删去内部缺陷(1999 年版的 5.5);
——检验批"由同一时间提交的用同一批原料加工的石英晶体片构成"改为"同一时间提交的同
——规格的石英晶体片构成"(见 6.1,1999 年版的 6.1);
——抽样方案改为由详细规范规定(见 6.2,1999 年版的 6.2);
——小包装的标志和合格证项目少量调整(见 7.1,1999 年版的 7.1)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会(SAC/TC182)归口。
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