现代电力电子技术基础

简介
目 录
第一章 电力半导体囂件的基本原理、特性及参数...................1
1.1电力半导体器件发展史及评述.......................1
1.2半导体整流器 .............................3
1.2.1结型整流管 ..........................3
1.2.2其它类型的整流管 ......................7
1.3双极型晶体管..............................7
1.3.1晶体管工作原理及静态输出特性 ................7
1.3.2晶体管开关工作状态 ......................9
1.3.3二次击穿和安全工作区....................11
1.3.4晶体管的电压参数说明..................  15
1.3.5晶体管的主要参数....................  15
1.4逆阻型晶闸管及其派生器件....................   16
1.4.1晶闸管的工作原理及静态特性................ 16
1.4.2晶侧管的开关过程及动态参数...............  19
1.4.3晶闸管的耐量及工作寿命...................21
1.4.4逆阻型晶闸管的参数.....................21
1.4.5有关晶闸管派生器件的说明..................22
1.5功率场效应晶体管(VDMOS) .................. 27
1.5.1VI3MOS工作原理及静态翳出特性.........   27
1.5.2VDMOS管的电容....................29
1.5.3VDMOS管的栅电荷曲线.................30
1.5.4VDMOS管的参数及安全工作区..............32
1.6绝缘栅双极型晶体管UGBT) ................... 32
1.6.1IGBT的工作原理及静态输出特性.............32
1.6.2IGBT的参数特点 ...................33
1.6. 3IGBT的过载能力 .................36
1. 7 MOS 栅控晶闸管(MCT)................   39
1.7.1MCT 工作原理..................   39
1.7.2MCT 的特点......................41
1.7.3MCT和IGBT的性能比较 ...............42
1.8静电感应晶闸管(SITH)ffi晶体管(SIT) ......... 43
1.8.1静电感应器件工作原理....................43

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