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半导体器件——电力、敏感、光子、微波器件
简介
目 录
第一篇电力电子器件........................................(1)
第1章电力电子器件概述....................................(1)
1.1电力电子学与电力半导体 ..............................(1 )
1.2电力器件的分类..................................(2)
1.3电力器件的基本应用................................(3)
第2章晶闸管.........................................(7)
2.1晶闡管的基本结构、等效电路及特性.........................(7)
2,2晶闸管的工作原理 ................................(8)
一、pnpn器件的导通物理过程 .........................(8)
二、屈两管的导通机理...............................(9 )
三、融发机构...................................(10)
2.3阻断模式......................................(12)
一、雷崩击穿与穿通效应 .............................(12)
二、晶佩管的最佳反向阻断电压...........................(13)
三、晶閘管的正向阻断电压............................ (15)
四.晶佩管的最小长基区覚度叫(仲).........................(17)
2.4表面成型技术....................................(19)
一、 半导体表面理论的几种基本观点......................... (19)
二、 正斛角、负斜角及电场分布...........................(20)
三、 电力器件的表面成型 .............................(22)
2.5门极特性......................................(24)
一、门极模型 ..................................(24)
二、晶两管的短基区寬度 ..............................(25)
2.6通态特性及功率损耗.................................(26)
一、正向传导模式..................................(26)
二、晶间管的通态电压...............................(27)
三、晶闸管的功耗及热学设计............................(31)
2.7动态特性......................................(33)
一、开通特性........................................(33)
二、耐量......................................(36)
三、效应......................................(40)
四、关断过程 .................................. (41)
目 录
第一篇电力电子器件........................................(1)
第1章电力电子器件概述....................................(1)
1.1电力电子学与电力半导体 ..............................(1 )
1.2电力器件的分类..................................(2)
1.3电力器件的基本应用................................(3)
第2章晶闸管.........................................(7)
2.1晶闡管的基本结构、等效电路及特性.........................(7)
2,2晶闸管的工作原理 ................................(8)
一、pnpn器件的导通物理过程 .........................(8)
二、屈两管的导通机理...............................(9 )
三、融发机构...................................(10)
2.3阻断模式......................................(12)
一、雷崩击穿与穿通效应 .............................(12)
二、晶佩管的最佳反向阻断电压...........................(13)
三、晶閘管的正向阻断电压............................ (15)
四.晶佩管的最小长基区覚度叫(仲).........................(17)
2.4表面成型技术....................................(19)
一、 半导体表面理论的几种基本观点......................... (19)
二、 正斛角、负斜角及电场分布...........................(20)
三、 电力器件的表面成型 .............................(22)
2.5门极特性......................................(24)
一、门极模型 ..................................(24)
二、晶两管的短基区寬度 ..............................(25)
2.6通态特性及功率损耗.................................(26)
一、正向传导模式..................................(26)
二、晶间管的通态电压...............................(27)
三、晶闸管的功耗及热学设计............................(31)
2.7动态特性......................................(33)
一、开通特性........................................(33)
二、耐量......................................(36)
三、效应......................................(40)
四、关断过程 .................................. (41)
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